法人预估Q4存储继续涨价:DRAM季增20%、NAND季增30%
AI基建扩张致存储缺货潮未见终点,Q4 DRAM合约价预计季增约20%、NAND季增约30%,价格谈判权仍在供应端;南亚科Q4 DRAM ASP估再季增1成;MLC/SLC等成熟型NAND供给进一步缩减,对SLC NAND、NOR Flash、利基型DRAM、eMMC采购影响直接。
建议提前备货法人预估第四季度DRAM、NAND Flash合约价格分别季增约20%、30%,供需缺口持续为负、谈判权仍在供应端;南亚科第四季度DRAM平均售价估再季增1成;MLC/SLC等成熟型NAND供给进一步缩减。
来源:工商时报 ↗